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LED屏厂家带你简单了解下LED大功率主要技术包含哪些?

LED屏厂家带你简单了解下LED大功率主要技术包含哪些?

作者:admin????来源:深圳亚游集团手机下载????发布时间:2019-04-16 10:24????浏览量:
目前市场上存在一些简单的LED集成封装产品,但是集成度较低,不能满足未来LED发光模组对LED封装产品的需要。在商业照明、道路照明、特种照明、闪光灯等领域,集成的LED光源有很大的应用市场。与封装级模组相比,芯片级模组体积较小,节省空间,也节省了封装成本,并且由于光源集成度高,便于二次光学设计。下面我们从几种不同的方式来简单介绍下它们的主要技术:

led模组封装技术

一.首先我们来说下二极管主要的技术,电子元件当中,一种具有两个电极的装置,只允许电流由单一方向流过,许多的使用是应用其整流的功能。

1.击穿:外加反向电压超过某一数值时,反向电流会突然增大,这种现象称为电击穿。引起电击穿的临界电压称为二极管反向击穿电压。电击穿时二极管失去单向导电性。如果二极管没有因电击穿而引起过热,则单向导电性不一定会被永久破坏,在撤除外加电压后,其性能仍可恢复,否则二极管就损坏了。因而使用时应避免二极管外加的反向电压过高。
 
  
2.特性曲线:在二极管加有正向电压,当电压值较小时,电流极小;当电压超过0.6V时,电流开始按指数规律增大,通常称此为二极管的开启电压;当电压达到约0.7V时,二极管处于完全导通状态,通常称此电压为二极管的导通电压,用符号UD表示。
 
3.正向性:外加正向电压时,在正向特性的起始部分,正向电压很小,不足以克服PN结内电场的阻挡作用,正向电流几乎为零,这一段称为死区。当正向电压大于死区电压以后,PN结内电场被克服,二极管正向导通,电流随电压增大而迅速上升。在正常使用的电流范围内,导通时二极管的端电压几乎维持不变,这个电压称为二极管的正向电压。

4.反向击穿:反向击穿按机理分为齐纳击穿和雪崩击穿两种情况。在高掺杂浓度的情况下,因势垒区宽度很小,反向电压较大时,破坏了势垒区内共价键结构,使价电子脱离共价键束缚,产生电子-空穴对,致使电流急剧增大,这种击穿称为齐纳击穿。如果掺杂浓度较低,势垒区宽度较宽,不容易产生齐纳击穿。不同型号的二极管的击穿电压UBR值差别很大,从几十伏到几千伏。
 
5.雪崩击穿:另一种击穿为雪崩击穿。当反向电压增加到较大数值时,外加电场使电子漂移速度加快,从而与共价键中的价电子相碰撞,把价电子撞出共价键,产生新的电子-空穴对。新产生的电子-空穴被电场加速后又撞出其它价电子,载流子雪崩式地增加,致使电流急剧增加,这种击穿称为雪崩击穿。无论哪种击穿,若对其电流不加限制,都可能造成PN结永久性损坏。
 
 
二.LED多功能封装集成技术,而三维立体封装是近几年发展起来的电子封装技术,而它主要的集成技术有以下几点:
  
1.系统的外形体积:缩小系统体积、降低系统重量并减少引脚数量;

2.性能:提高集成密度,缩短互连长度,从而提高传输速度并降低功耗;
 
3.大批量低成本生产:降低工艺成本。

 
三.我们对发光模组的组装进行如下设计:
 
1.PCB电路板围绕在集成封装周围便于连接;

2.PCB与集成封装放置于热沉之上;
 
3.驱动电路裸片与LED芯片集成在封装之内,其余电路元件集成在PCB板上;
 
该设计的优势是:体积较小;主要发热元件通过封装直接与热沉接触,易于散热;不需要特别散热的元件,放置在普通PCB上。相比MCPCB,节省了成本;在需要时,可将元件设计在PCB板的背面,藏在热沉的空区域中,避免元件对出光的影响。
 
 
随着LED照明产业的发展,目前有多种不同的先进系统集成方法,主要包括:封装上的封装堆叠技术;PCB(引线键合和倒装芯片)上的芯片堆叠,具有嵌入式器件的堆叠式柔性功能层;有或无嵌入式电子器件的高级印制电路板(PCB)堆叠;晶圆级芯片集成;基于穿硅通孔(TSV)的垂直系统集成(VSI)。从LED芯片的生产到灯具市场,已经形成了一条相对完善的产业链。但对于传统的LED照明,从芯片、封装、电路板一直到应用,各个环节都相对独立。不同场所的照明需求,对LED的封装提出了各种新的要求。如何在模组内集成多种技术,并通过系统封装的方式使LED模组封装趋于小型化、多功能化、智能化成为了我们led屏厂需要探索研究的问题。
 
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